デバイス要件に最適化された高精度SOI基板

デバイス層
導電型(type)：P/N
・厚：3nm ～
-----------------------------
BOX 層
・BOX厚：10nm ～ 15um
-------------------------------
支持基板
・ウエハ径：100mm/150mm / 200mm / 300mm
・基板抵抗率：0.001 ～ 10,000 Ω・cm
・結晶方位：〈100〉/〈111〉
・ドーパント：B / P / As
・表面粗さ・膜厚均一性：高精度管理対応
供給形態
・少量（10枚程度）からのご相談に対応可能
・試作・評価用途向け小ロット供給可