半導体プロセスサービス
半導体製造分野において、高精度な光リソグラフィおよび各種ウェハ加工サービスを提供しています。 シリコン（Si）、サファイア（Sapphire）、ガリウム砒素（GaAs）など多様な基板材料に対応し、研究開発から量産プロセスまで、お客様の要求仕様に応じた最適な加工ソリューションをご提案します。
接触式光リソグラフィ（Contact Lithography）
マスクをレジストに直接接触させ、紫外線（UV）照射によりパターンを転写する露光方式です。
装置構成がシンプルで、安定した転写性能を有し、試作・評価用途に広く用いられています。 ・最小ライン幅：1µm ・アライメント精度：±0.5µm ・対応用途：MEMS、センサ、パワーデバイス、研究開発試作 低コストかつ短納期でのプロセス立ち上げが可能で、小ロット生産や初期デバイス検証工程に適しています。
投影式光リソグラフィ（Projection Lithography）
マスクパターンを投影光学系によりウェハ上へ縮小転写する方式で、高精度・高解像度な微細加工を実現します。
スキャナー露光（Scanner）
・対応ウェハサイズ：8インチ／6インチ
・解像度：200nm
・焦点深度：400nm以上
・倍率制御精度：±15nm
走査露光方式により、ウェハ全面に対して均一かつ高精度なパターン形成が可能です。
先端プロセスや高集積デバイス向けの微細構造形成に対応します。
ステッパー露光（Stepper）
・露光エリア：25mm × 33mm
・最小ライン幅：600nm
・アライメント精度：±200nm
ショット単位での露光により、高い位置精度と優れた再現性を確保します。
量産工程においても安定した品質を維持し、多品種・多工程のデバイス製造に適しています。
先端紫外リソグラフィ対応
次世代ノードを見据えた露光技術への取り組み
微細化が進む先端半導体プロセスに対応するため、DUVおよびEUVリソグラフィ技術への対応を進めています。
・DUV（248nm／193nm）：90nm／65nmノード対応
・EUV（13.5nm）：次世代プロセス向け（導入準備中）
・12インチウェハ対応、最小ライン幅45nmまで対応可能
先端デバイス開発や将来量産を見据えたプロセス検討において、継続的な技術高度化と設備拡充を行っています。