装置名称： 化学機械研磨装置（CMP）
ブランド： 華海清科（Huahai Qingke）
型式： Universal-200
主な技術仕様：
8インチおよびそれ以下の標準ウエハに対応。
SiO₂研磨の表面粗さ＜0.5nm。
SiO₂研磨の除去速度＞300nm/min。
SiO₂研磨のウエハ全面均一性（WTW NU）＜5%。ウエハ内均一性（WIW NU）＜5%。
機能： ウエハ表面の凹凸を平坦化し、薄膜を研磨・鏡面化する機能を持つ。
装置名称： 12インチ化学機械研磨装置（CMP）
ブランド： 華海清科（Huahai Qingke）
型式： Universal-300E
主な技術仕様：
12インチ標準ウエハに対応。
機能： 12インチウエハの自動研磨・洗浄・搬送・乾燥機能を備え、金属層や誘電体層を含む薄膜ウエハ表面から余剰材料を除去し、平坦化を実現する。
装置名称： レーザー隠れ切断装置（Laser Stealth Dicing）
ブランド： 中国镭特（Leite China）
主な技術仕様：
・12インチ以下の標準ウエハに対応；
・ウエハ厚さ：50μm～2000μm；
・切断溝幅：チップダイシング溝幅240μmを満たし、欠けなし；
・切断痕幅：≤4μm；ウエハ切断速度：0～1000mm/s可変。
機能： 12インチ以下サイズのシリコンウエハを精密切断するための装置。
装置名称： ダイシングマシン（チップ分割機）
ブランド： Accretech
モデル： AD20T
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応；
BBDブレード検出装置を搭載。
機能：
シリコン、ガラス、サファイア、酸化アルミニウム（Al₂O₃）、窒化アルミニウム（AlN）などのセラミック材料、および窒化ガリウム（GaN）などの化合物半導体材料のスクライビング（切削・切断）加工に使用される装置。
