装置名称： 酸化炉／アニール炉
ブランド： CentroTherm 型式： (c.OXIDATOR) 150-50
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応
活性化プロセス最高温度：2000℃
水素アニール最高温度：1500℃
機能：
活性化プロセス：高温アルミイオン注入後、アルゴン雰囲気下で高温処理を行い、イオン活性化およびSiC結晶格子の修復を実施
水素アニールプロセス：トレンチMOSFET製造において、溝チャネル移動度およびエッジ部の電界ピーク効果を改善するため、RIEエッチング後に高温水素アニールを実施
装置名称： レーザー急速アニール装置
ブランド： 成都ライプ科（Chengdu LaipuKe） 型式： LA2540S
主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハ対応。レーザー出力パワーメータ1（出光口）測定分解能：0.1mW。レーザー出力パワーメータ2（再測定機能付き）測定分解能：0.3mW。レーザービームプロファイル測定：解像度1920×1480ピクセル、サンプリング周波数12fps。レーザー周波数およびパルス幅測定：波長範囲0.4～1.1μm、応答時間≤1ns、最大ゲイン60dB。 機能： Siおよび化合物半導体材料におけるイオン注入後の欠陥除去、ドーパント活性化、シリサイド形成、オーミックコンタクトアニールなどのプロセスに使用。
装置名称： 酸化拡散炉
ブランド： 金立盾（Jinlidun） 型式： 5110
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応。
ウエハ内均一性：2%、ウエハ間均一性：3%。
温度範囲：800～1150℃。
定温ゾーン長：600mm。温度制御ゾーン：3段。温度制御精度：±0.5℃以内。最大昇温速度：15℃/分。
機能： Si基板材料の酸化膜成長、薄膜アニール、およびイオンの制御拡散プロセスに使用。
装置名称： 急速熱処理システム（RTP）
ブランド： ALLwin21Corp 型式： AccuThermo AW-810M
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応。
典型的なプロセス温度範囲：400～1150℃。
昇温速度：Si基板で10～100℃/秒。降温速度：Si基板で10～100℃/秒。温度再現性：±1℃。温度制御均一性：±5℃（8インチウエハ、1150℃時）。
機能： 微細デバイスのオーミックコンタクト形成用急速アニール、イオン注入後アニール、応力緩和および緻密化プロセスに使用。
