ブランド： 邑文（Yuwen） 型式： SINO-ALD R200

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
最大試料温度：360℃
100nmのAl₂O₃膜の均一性：ウエハ内＜1％、絶縁破壊電界＞6.5MV/cm
100nmのAl₂O₃段差被覆率：＞90％、密度＞2.7g/cm³
選択可能な堆積材料：Al₂O₃、TiO₂、SiO₂、HfO₂、ZrO₂、AlNなど
機能： Al₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂、AlN、SiNxなどの薄膜成長を実現

ブランド： Kurt J. Lesker 型式： PROLine PVD200

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
到達真空度：5×10⁻⁸ Torr
基板温度範囲：室温～800℃
機能： 非磁性金属材料のスパッタリング、酸化物または窒化物の成膜に使用

ブランド： Tystar Corporation 型式： Mini-TYTAN3800

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
処理能力：1炉あたり50枚以上、システム漏れ率＜10mTorr/min
ウエハ内均一性：SiN＜3％、SiO₂＜5％、POLY＜3％
機能： SiO₂、Si₃N₄、POLYなどの薄膜成長を実現

ブランド： SENTECH 型式： SI 500D

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
反応チャンバー温度範囲：室温～300℃
高周波電源：上部電極はICP源駆動（周波数13.56MHz、出力≥1100W）、下部電極にはバイアス電源を装備（周波数13.56MHz、出力300W）
機能： 低温下でSiO₂、Si₃N₄、SiOxNyなどの絶縁膜を成膜可能で、一定の空隙充填能力を有する

ブランド： SPTS 型式： Delta LPX

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
反応チャンバー温度範囲：80～400℃
高周波電源：デュアル周波数RF 13.56MHz＋375kHz（膜応力の調整に有利）
ガス系統：10ライン（8ラインはプロセスガス、2ラインは洗浄ガス＋TEOS液体供給ラインを含む）、多様な薄膜プロセスに対応
機能： SiO₂、Si₃N₄、SiOxNyなどの絶縁膜を堆積可能