ブランド： OXFORD INSTRUMENTS 型式： IONFAB

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
試料ステージ傾斜調整範囲：−90°～75°
基板温度範囲：10℃～60℃
内蔵式加熱範囲：60℃～300℃
背面ヘリウム冷却機能搭載、SIMSエンドポイント検出器装備
機能： Au、Pt、Cu、Ta、AlN、Si、SiO₂などの薄膜材料のエッチングに使用

ブランド： 邑文（Yuwen） 型式： SINO-Plasma100

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
均一性：Spec＜3％
下地膜除去速度：100～1500Å/min
機能： ウエハ表面デバイスへのプラズマ損傷が少なく、高エッチング速度・高速アッシング・優れた均一性・高い再現性を実現

ブランド： ULVAC 型式： NLD-570

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
石英材料のエッチング速度：≥1000nm/min
動作圧力：0.1～1Pa
機能： SiO₂、石英、SiCなどの材料のエッチングに主に使用

ブランド： OXFORD INSTRUMENTS 型式： PlasmaPro 100 Cobra

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
試料温度範囲：−150～400℃（液体窒素冷却／電気加熱対応）
機能： Si、SiO₂、Si₃N₄、SiC、Al、Ti、TiN、Cr、InP、GaAs、GaN、LiNbO₃などの薄膜材料のエッチングに使用

ブランド： 北方華創（NAURA） 型式： NMC 508Gt

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
SiC、GaN、ダイヤモンドなどの材料に対応
デュアルアームロボットを搭載し、2枚のウエハを同時に処理可能、エンドポイント検出モジュールを装備
機能： SiC、GaNおよびダイヤモンド材料のエッチングプロセスを実現

ブランド： SPTS 型式： Omega LPX Etch

主な技術仕様： 8インチ以下の標準ウエハに対応
ICP出力：0～3600W、RF出力：0～1500W
側壁粗さ：≤50nm
エッチング角度：89±1°
ウエハ内均一性：≤±5％、ウエハ間均一性：≤±3％
レジスト選択比：＞100:1
機能： ウエハの高エッチング速度および高アスペクト比エッチングを実現。高エッチング速度、優れた均一性および再現性を有する