装置名称： マスクレスレーザー直接描画露光装置
装置ブランド： ハイデルベルク（Heidelberg）
装置型式： MLA-150
主な技術仕様： 半導体レーザー波長：375 nmおよび405 nm；
レーザー出力：300 mW；He-Ne干渉計分解能：≤10 nm；高精度レーザー描画における最小線幅：≤0.6 μm。
機能： マスク作製機能、フォトレジスト直接描画機能、線幅および間隔測定機能、アライメント重ね合わせ描画機能を備える。
装置名称： 8インチ接触式リソグラフィ装置
ブランド： SUSS 型式： MA8
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応
露光光源：UV LED（350～450nm）
解像度：1.0μmより優れる
最大露光エリア：200mm × 200mm
角度露光対応：45度および50度の入射角での露光が可能、角度露光エリアは100mm × 100mmを超える
機能：
微細構造およびデバイスパターンのフォトリソグラフィに使用
装置名称： スキャニング式リソグラフィ装置
ブランド： Nikon 型式： S204B
主な技術仕様：
8インチおよび6インチの標準ウエハに対応
解像度：200nm
焦点深度：400nm以上
倍率制御精度：15nm以内
最大露光エリア：25mm × 33mm以上
露光エネルギー：350mW/cm²
機能：
微細構造およびデバイスパターンのフォトリソグラフィに使用
装置名称： ウエハボンディング装置
ブランド： SUSS 型式： XB8
主な技術仕様：
8インチ以下の標準ウエハに対応
積層最大厚さ：6mm
最高温度：500℃、冷却速度：1℃/min～30℃/min
加圧範囲：5kN～100kN
最大電圧：−2000V
機能： アノードボンディング、シリコン‐シリコン直接ボンディング、金属熱圧ボンディング、共晶ボンディングなどのプロセスを実現
装置名称： ナノインプリントシステム
ブランド： obducat 型式： obducat EITRE® 8
主な技術仕様：
紫外光源波長：365nm、最大出力：300mW/cm²、露光均一性：85％以上
チャック基板温度範囲：0～70℃、温度均一性：±3％、温度設定精度：±1℃
圧印構造精度：50nm以下、残留層厚さ：20nm以下、圧印構造の原型忠実度：±5％以内
圧印圧力範囲：5000～50000Pa（精密制御可能）
アスペクト比（深さ／幅）：7.5:1より優れる
機能： 半導体、光学およびバイオ分野における微細・ナノ構造の作製に使用
